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第二季伺服器用记忆体合约价续涨,16GB 模组均价将迈向 130 美元大关


2020-07-28


第二季伺服器用记忆体合约价续涨,16GB 模组均价将迈向 130 美元大关

TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究显示,由于供给吃紧态势尚未改变,2017 年伺服器用记忆体第一季合约价上扬近四成,预估第二季将更进一步上涨约一成水位,其中 DDR4 16GB 伺服器模组将迈向 130 美元大关。

DRAMeXchange 表示,自 2016 年第四季起,伺服器用记忆体便在标準型记忆体的供货吃紧下连带涨价,且受惠于 2016 下半年大型标案,整体备货力道超出预期。展望 2017 年,由于 DRAM 原厂对记忆体资本支出趋于保守,产能扩增受限,整体市场供给仍将吃紧,预估 2017 上半年伺服器用记忆体价格仍会延续涨价走势。

整体伺服器用记忆体製程迈进 20 奈米以下,高容量模组加速渗透

从记忆体产出製程来分析,三星今年的重点将会是提高 18 奈米製程的投片,同时 SK 海力士与美光阵营也会提高其 20/21 奈米高容量晶圆颗粒与良率,进而提升整体高容量伺服器模组的渗透率。

此外,目前如华为、浪潮等中国伺服器厂商皆已通过原厂先进製程的验证,预计在今年第二季大量转进至 20 奈米以下的製程,并规划于今年第四季前达到近六成的 20 奈米产品规画,可以预期高容量模组如 16GB 与 32GB 的伺服器应用将更多。

DRAMeXchange 指出,2017 年 20 奈米将成为伺服器用记忆体主要供应製程,8Gb mono die 成为市场主流颗粒,使得 16GB 与 32GB 容量的伺服器模组取得更加容易,再加上下半年英特尔与超微新伺服器平台的导入,将迫使如广达等一线代工厂提升伺服器用记忆体模组的配置,以改善整体效能。然而,单机搭载容量的提升依旧是今年伺服器用记忆体最主要的成长动能。



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